缩写名/全名 |
IEEE T DEVICE MAT RE
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY |
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ISSN号 | 1530-4388 | ||||||||||||||||||||||||
研究方向 | 工程技术-工程:电子与电气 | ||||||||||||||||||||||||
影响因子 | 2015:1.437, 2016:1.575, 2017:1.512, 2018:1.583, 2019:1.407, | ||||||||||||||||||||||||
出版国家 | UNITED STATES | ||||||||||||||||||||||||
出版周期 | Quarterly | ||||||||||||||||||||||||
年文章数 | 101 | ||||||||||||||||||||||||
出版年份 | 0 | ||||||||||||||||||||||||
是否OA | No | ||||||||||||||||||||||||
审稿周期(仅供参考) | 较慢,6-12周 |
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录用比例 | 较易 | ||||||||||||||||||||||||
投稿链接 | http://mc.manuscriptcentral.com/tdmr | ||||||||||||||||||||||||
投稿官网 | http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=7298 | ||||||||||||||||||||||||
h-index | 63 | ||||||||||||||||||||||||
CiteScore |
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PubMed Central (PMC)链接 | http://www.ncbi.nlm.nih.gov/nlmcatalog?term=1530-4388%5BISSN%5D | ||||||||||||||||||||||||
中科院SCI期刊分区 ( 2018年新版本) |
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1. | Improved Charge-Trapping Characteristics of ZrO 2 by Al Doping for Nonvolatile Memory Applications Author: eexdhuang Journal: IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2016. |
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