| 缩写名/全名 |
IEEE ELECTR DEVICE L
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS |
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| ISSN号 | 0741-3106 | ||||||||||||||||||||
| 研究方向 | 工程技术-工程：电子与电气 | ||||||||||||||||||||
| 影响因子 | 2015:2.528, 2016:3.048, 2017:3.433, 2018:3.753, 2019:4.221, | ||||||||||||||||||||
| 出版国家 | UNITED STATES | ||||||||||||||||||||
| 出版周期 | Monthly | ||||||||||||||||||||
| 年文章数 | 459 | ||||||||||||||||||||
| 出版年份 | 1980 | ||||||||||||||||||||
| 是否OA | No | ||||||||||||||||||||
| 审稿周期(仅供参考) | 平均1.3个月 |
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| 录用比例 | 约25% | ||||||||||||||||||||
| 投稿链接 | http://mc.manuscriptcentral.com/edl | ||||||||||||||||||||
| 投稿官网 | http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=55 | ||||||||||||||||||||
| h-index | 135 | ||||||||||||||||||||
| CiteScore |
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| PubMed Central (PMC)链接 | http://www.ncbi.nlm.nih.gov/nlmcatalog?term=0741-3106%5BISSN%5D | ||||||||||||||||||||
| 中科院SCI期刊分区 （ 2018年新版本） |
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| 中科院SCI期刊分区 （ 2020年新版本） |
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| 中国学者近期发表的论文 | |
| 1. | Resistive switching mechanism of oxygen-rich indium tin oxide resistance random access memory Author: tcchang3708 Journal: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016. |
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